ФИЗИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (ФТИАН)

Россия, 117218, г. Москва, Нахимовский пр-т, 36/1, ФТИАН

Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН) организован в соответствии с постановлением ЦК КПСС и Совета Министров СССР от 28 апреля 1988 года и постановлением Президиума АН СССР от 12 июля 1988 года на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР.
Институт входит в состав Отделения информационных технологий и вычислительных систем РАН.
Институт был создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, изготовление и исследование субмикронных приборов микро и нано-электроники.
В рамках основных научных направлений Институт проводит следующие исследования:
- разработка квантовой логической ячейки для перспективной супер-ЭВМ;
- разработка методов создания элемента ансамблевого кубита на атомах фосфора в кремнии.
- теоретическое моделирование спин-туннелирования в многослойных тонкопленочных структурах.
- теоретические исследования и математическое моделирование физических процессов разрушения токопроводящих дорожек.
- разработка конструктивно-технологических принципов, моделирование и создание нанотранзисторов с длинами каналов 250 - 50 нм - элементной базы ультрабольших интегральных схем.
- синтез и исследование фазовых превращений в тонких и сверхтонких пленках;
- исследования физики низкотемпературной плазмы молекулярных реактивных газов и взаимодействия плазмы с материалами микро-и наноэлектроники;
- исследование процессов синтеза диэлектрических пленочных материалов на основе углеводородных соединений, осаждаемых непосредственно из пучков электронов и ионов;
- выявление новых возможностей метода рентгеновской дифрактометрии для диагностики многослойных полупроводниковых структур с использованием методов многоволнового анализа и стоячих рентгеновских волн, а также резко асимметричных схем дифракции;
- разработка теоретических основ метода гамма-резонансной спектроскопии в исследованиях наномагнетиков;
- исследование метода осаждения из ионного пучка диэлектрических пленок для межслойной изоляции многоуровневых соединений СБИС;
- разработка широкоапертурных источников плотной плазмы;
- разработка спектроаналитического комплекса эмиссионной томографии плазменных источников;
- разработка технологических процессов формирования мелкозалегающих р-п переходов методом плазменно-иммерсионной ионной имплантации.
Со дня организации Института и до настоящего времени возглавляет Институт академик РАН Валиев Камиль Ахметович.